大连理工大学刘迪课题组报道了一种通过在p桥引入氰基提高分子荧光量子产率（PLQY）并促进反系间窜越 (RISC) 过程的策略。与p桥引入甲基的分子相比，ΔE_ST减小且PLQY增加，显著提高了电致发光器件的效率。

第三代热活化延迟荧光（thermally-activated delayed fluorescence，TADF）材料兼具激子利用率高和无贵金属的特点，TADF 材料的 S₁ 和 T₁ 之间的能极差很小，在环境热量的作用下，T₁ 态激子可以通过RISC 到达 S₁ 态，再由 S₁ 态辐射跃迁发光，其理论内量子效率也可达到100%，并且不含贵金属，不仅极大地提高了发光效率，还可以大大降低器件的成本，是目前 OLED 发光材料的热点研究对象。

高效的TADF分子需要较高的反系间窜越常数（k_RISC）和较高的PLQY。传统的分子设计策略中通过设计高度扭曲的 D-A 或 D-p-A 分子结构来促进最高占据分子轨道 (HOMO) 和最低未占据分子轨道 (LUMO) 的空间分离来获得较小的 ΔE_ST；而提高PLQY需要HOMO 和 LUMO充分的重叠。因此权衡两者的关系是TADF材料分子设计的一个挑战。

为解决这一问题，刘迪课题组在连接给体和受体的p桥上引入氰基基团，设计并合成了新分子TrzBuCz-CN。与引入甲基的参比分子TrzBuCz-Me相比，氰基的引入不仅提高了PLQY，而且还降低了ΔE_ST。这两个因素是形成高效TADF分子的关键因素。因为缺电子CN基团降低了S₁态能量，但对T₁态能量影响较小，故减小了ΔE_ST（0.21 eV）（在掺杂薄膜中）；氰基基团的强吸电子基团增强了分子内电荷转移程度，提高了k_RISC （TrzBuCz Me 为 6.8×10⁴ s^-1 ，而 TrzBuCz Me 为 1.2×10³ s^-1 ）。同时，由于氰基基团与甲基相比体积较小，导致给受体之间扭曲程度变小， HOMO-LUMO 重叠增加，故辐射跃迁速率常数（kr）显著增大，最终PLQY陡增至94.0%，而从甲基取代分子则仅有41%。

得益于较快的RISC过程和较高的PLQY，TrzBuCz-CN基天蓝光OLED的最大电流效率 (CE)、功率效率 (PE) 和 EQE分别为 31.0 cdA^-1 、26.3 lmW^-1 和 13.7%，均明显高于参比分子TrzBuCzMe。本工作针对TICT型TADF材料很难平衡 ΔE_ST 和k_r之间关系的问题，通过CN基修饰 p 桥同时加速RISC过程和辐射跃迁过程，为实现高效天蓝光OLED提供了可行的设计策略。